• Хеликобактер схема эрадикации
  • Цветник из однолетников схема
  • Шаль кленовый лист спицами схема

  • Результатов  Обновить

    Транзистор биполярный схема

     

     

    Биполярные транзисторы. Термин «биполярный транзистор» связан с тем, что в этих транзисторах используются носители зарядов двух типов: электроны и дырки. Для изготовления транзисторов применяют те же полупроводниковые материалы, что и для диодов. В биполярных транзисторах с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной электропроводности создаются два p–n-перехода с чередующими типами электропроводности (p–n–p или n–p–n). Биполярные транзисторы конструктивно могут быть беcкорпусными (рис.1,а) (для применения, например, в составе интегральных микросхем) и заключенными в типовой корпус (рис. 1,б). Три вывода биполярного транзистора называются база , коллектор и эмиттер . Рис. 1. Биполярный транзистор: а) p–n–p-структуры без корпуса, б) n–p–n-структуры в корпусе. В зависимости от общего вывода можно получить три схемы подключения биполярного транзистора : с общей базой (ОБ), общим коллектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ). Рассмотрим работу транзистора в схеме с общей базой, (рис. 2). Рис. 2. Схема работы биполярного транзистора. Эмиттер инжектирует (поставляет) в базу основные носители, в нашем примере для полупроводниковых приборов n-типа ими будут электроны. Источники выбирают так, чтобы E2 >> E1. Резистор Rэ ограничивает ток открытого p–n-перехода. При E1 = 0 ток через коллекторный переход мал (обусловлен неосновными носителями), его называют начальным коллекторным током Iк0. Если E1 > 0, электроны преодолевают эмиттерный p–n-переход (E1 включена в прямом направлении) и попадают в область базы. Базу выполняют с большим удельным сопротивлением (малой концентрацией примеси), поэтому концентрация дырок в базе низкая. Следовательно, немногие попавшие в базу электроны рекомбинируют с ее дырками, образуя базовый ток Iб. Одновременно в коллекторном p–n-переходе со стороны E2 действует много большее поле, чем в эмиттерном переходе, которое увлекает электроны в коллектор. Поэтому подавляющее большинство электронов достигают коллектора. Эмиттерный и коллекторный токи связаны коэффициентом передачи тока эмиттера. Основной схемой включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером, (рис. 3). Рис. 3. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Для нее по первому закону Кирхгофа можно записать Iб = Iэ – Iк = (1 – a)Iэ – Iк0 . Учитывая, что 1 – a = 0,001 - 0,1, имеем Iб << Iэ » Iк . Найдем отношение тока коллектора к току базы: Это отношение называют коэффициентом передачи тока базы . При a = 0,99 получаем b = 100. Если в цепь базы включить источник сигнала, то такой же сигнал, но усиленный по току в b раз, будет протекать в цепи коллектора, образуя на резисторе Rк напряжение много большее, чем напряжение источника сигнала. Для оценки работы биполярного транзистора в широком диапазоне импульсных и постоянных токов, мощностей и напряжений, а также для расчета цепи смещения, стабилизации режима используются семейства входных и выходных вольтамперных характеристик (ВАХ ) . Семейство входных ВАХ устанавливают зависимость входного тока (базы или эмиттера) от входного напряжения Uбэ при Uк = const, рис. 4,а. Входные ВАХ транзистора аналогичны ВАХ диода в прямом включении. Семейство выходных ВАХ устанавливает зависимость тока коллектора от напряжения на нем при определенном токе базы или эмиттера (в зависимости от схемы с общим эмиттером или общей базой), рис. 4, б. Рис. 4. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора: а – входные, б – выходные. Кроме электрического перехода n–p, в быстродействующих цепях широко используется переход на основе контакта металл–полупроводник – барьер Шоттки (Schottky). В таких переходах не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе, и быстродействие транзистора зависит только от скорости перезарядки барьерной емкости. Рис. 5. Биполярные транзисторы. Параметры биполярных транзисторов. Для оценки максимально допустимых режимов работы транзисторов используют основные параметры: 1) максимально допустимое напряжение коллектор–эмиттер (для различных транзисторов Uкэ макс = 10 - 2000 В), 2) максимально допустимая мощность рассеяния коллектора Pк макс – по ней транзисторы делят на транзисторы малой мощности (до 0,3 Вт), средней мощности (0,3 - 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт), транзисторы средней и большой мощности часто снабжаются специальным теплоотводящим устройством – радиатором, 3) максимально допустимый ток коллектора Iк макс – до 100 А и более, 4) граничная частота передачи тока fгр (частота, на которой h21 становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят: на низкочастотные – до 3 МГц, среднечастотные – от 3 до 30 МГц, высокочастотные – от 30 до 300 МГц, сверхвысокочастотные – более 300 МГц.

     

    Предыдущая страница   Следущая страница



    Кто на форуме
    Рекорд одновременного пребывания 167, это было 27.02.2016 в 19:09.
    Рекорд пользователей за один день был: 148, 16.11.2012.
    На данный момент посетителей ещё не было.
    Темы: 869, Сообщений: 828, Пользователи: 695, Активные участники: 18
    Приветствуем нового пользователя, ЕленаПудрик
    День рождения (6), skiftr (7), ЕленаПудрик (4)

        Есть новые сообщения
      Нет новых сообщений

    Часовой пояс GMT +4, время: 11:58.


    Работает на vBulletin® версия 3.7.2.
    Copyright ©2000 - 2016, Jelsoft Enterprises Ltd.
    Перевод: zCarot
    OstrovOK
    Рейтинг@Mail.ru